- 13:00~14:00(開場12:45~)
セミナー概要
カスタムICは、高電圧・大電流、低ノイズ、高周波など、市販品では実現が難しい性能を達成するために不可欠な手段です。しかし、その開発には1~2年の期間と数百万円~数千万円規模の費用が必要となり、途中での仕様変更は大きなコスト増加につながります。そのため、機器メーカと半導体ベンダー間の初期段階での正確な意思疎通が極めて重要です。
本セミナーでは、発注側の回路設計者が知っておくべき半導体の基礎として、プロセス・電圧・温度による特性変動、破壊メカニズム、パッケージの影響などを分かりやすく解説します。半導体の専門知識がなくても、適切な仕様検討と円滑なコミュニケーションを実現し、開発リスクを低減するための実践的な知識を提供します。
| 開催日 |
2026年7月22日(水)
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| 時間 |
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| 対象者 |
・初級及び、中級技術者 |
| 開催方法 | Zoom (ウェビナー) |
| 参加費 | 15,400円(税込) |
セミナー内容
| 1 | カスタムIC開発とは |
| ・フルカスタムICが必要になる本質 ・カスタムICの開発フロー ・カスタムICの主なコスト/開発フェーズ×変更コスト曲線 ・IC設計における検証作業の重要性 ・IC設計の常識 |
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| 2 | カスタムICの仕様に関する注意点 |
| ・仕様・設計レビューで機器メーカが困ること ・開発フロー全体を通じて機器メーカが困ること ・カスタムIC仕様作成の注意点(汎用ICとの違い) ・機器とカスタムICとの機能分担での失敗例 ・暗黙仕様の失敗例 ・開発スタート後の仕様変更の影響 |
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| 3 | 半導体の特性が回路に及ぼす影響 |
| ・MOSFETの構造と、その性能を決める代表パラメータ ・回路動作に影響するMOSFET特性のばらつき ・MOS特性ばらつきのコーナー条件 ・PVTによる遅延ばらつき ・設計段階でPVTworstの性能が目標未達のとき ・PVTworst「SS×Vmin×Tmax」は、ほぼ起きない ・寄生容量による速度低下 ・エレクトロマイグレーション、リーク電流 ・デバイスが破壊する原因:静電破壊とラッチアップ ・アナログ分野で重要なレイアウト ・IC分野ごと主要半導体パラメータとその影響 |
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| 4 | 半導体パッケージが回路に及ぼす影響 |
| ・パッケージ寄生が誤動作を引き起こす ・パッケージの熱抵抗 ・パワー半導体パッケージで特に注意すべきこと |
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| 5 | 最後に |
| ・カスタムIC開発で心がけること ・それでも変更が必要になる被害を最小にしたい |
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| 6 | 質疑応答 |
到達目標
カスタムIC開発において、半導体の専門知識がなくても、適切な仕様検討と円滑なコミュニケーションを実現でき、開発リスクを低減するための実践的な知識を持つことができる。
講師プロフィール
前多 正
1983年 豊橋技術科学大学電気電子工学専攻修了、同年、日本電気株式会社入社。
1999年 同社光無線デバイス研究所主任研究員、2006年 同社デバイスプラットフォーム研究所主幹研究員。2010年 ルネサスエレクトロニクス株式会社を経て、2015年より芝浦工業大学電子工学科教授、2024年退職。
2005年~2010年International Solid State Circuit Conference (ISSCC)ワイヤレスプログラム委員、2018年電子情報通信学会英文論文誌(A)小特集プログラム編集委員長などを歴任。
専門は、アナログRF回路設計。
著書は、RF集積回路の設計手法、高速デジタル信号伝送回路の設計と評価法(以上、科学情報出版)、アナログ電子回路、ディジタル電子回路(以上森北出版)
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